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Mosfet 保护

  • 功率MOSFET驱动保护电路方案

    分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。

    标签: MOSFET 功率 驱动保护电路 方案

    上传时间: 2014-01-25

    上传用户:hz07104032

  • 功率MOSFET的驱动电路和保护技术

    功率MOSFET的驱动电路和保护技术

    标签: MOSFET 功率 保护技术 驱动电路

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:wutong

  • MOSFET的驱动保护电路的设计

    功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。

    标签: MOSFET 驱动保护电路

    上传时间: 2013-12-18

    上传用户:ccclll

  • MOSFET驱动保护电路设计

    功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配;设计了基于IR2130 驱动模块的 MOSFET 驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无 刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。

    标签: Mosfet 保护

    上传时间: 2016-01-11

    上传用户:ganglike

  • 开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析

    结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。

    标签: MOSFET 开关电源 功率

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:dongqiangqiang

  • 针对GJB181过压浪涌要求的保护电路设计

    基于输入28.5 VDC,输出总功率180 W的机载计算机电源的设计,为满足“GJB181飞机供电特性”中对飞机用电设备输入28.5 VDC时过压浪涌80 V/50ms的要求,采用检测输入电压并控制MOSFET导通和关断的方法,通过对该电路的理论数据分析及与实际测试数据做比较,模拟了80 V/50 ms过压浪涌的试验,并用示波器记录了测试波形,得出该设计电路在输入28.5 VDC时,可以完全满足GJB181飞机供电特性过压浪涌要求的结论。并通过扩展应用介绍了在其他输入电压类型时过压浪涌保护电路的设计。

    标签: GJB 181 过压 浪涌

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:cuibaigao

  • 丝印2KAX具有电池反接保护功能的锂电充电管理IC

    产品概述: SP4054(丝印:2KAX)是一款极限500mA充电电流的锂电池充电管理芯片,充电电流可编程。SP4054具有电池反接保护,充电电流监测,输入低电压闭锁,自动重新充电和充电已满及开始充电的标志。 产品特性: 1、可编程使充电电流为500mA 2、不需要MOSFET,传感电阻和阻塞二极管 3、SOT23-5无铅封装

    标签: 2KAX 丝印 电池 反接 保护功能 充电 管理IC

    上传时间: 2019-03-18

    上传用户:lryang

  • 高频率MOSFET驱动电路PCB

    MOSFET,碳化硅的驱动电路PCB,最高驱动频率可达2Mhz,带过流保护功能,带隔离

    标签: mosfet 驱动电路 pcb

    上传时间: 2022-03-30

    上传用户:trh505

  • IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究

    IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用.IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。但是,IGBT和其它电力电子器件一样,其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此,IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点,是整个装置运行的关键环节。为解决IGBT的可靠驱动问题,国外各IGBT生产厂家或从事IGBT应用的企业开发出了众多的IGBT驱动集成电路或模块,如国内常用的日本富士公司生产的EXB8系列,三菱电机公司生产的M579系列,美国IR公司生产的1R21系列等。但是,EXB8系列、M579系列和IR21系列没有软关断和电源电压欠压保护功能,而惠普生产的HCLP-316]有过流保护、欠压保护和1GBT软关断的功能,且价格相对便宜,因此,本文将对其进行研究,并给出1700v,200~300A IGBT的驱动和保护电路。

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-21

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  • 大功率IGBT驱动保护电路的研究与应用

    IGBT是MOSFET和GTR的复合器件,它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点,又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件,特别是在大功率的场合,已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上,针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用,选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究,详细地说明了IGBT对栅极驱动的一些特殊要求及应该满足的条件。接着对三种典型的驱动模块进行了分析,同时分别针对风电变流器实验平台和岸电电源,设计了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驱动模块的外围驱动电路。对于大功率的设备,电路中经常会遇到过流、过压、过温的问题,因此必要的保护措施是必不可少的。针对上述问题,本文分析了出现各种状况的原因,并给出了各自的解决方案:采用分散式和集中式过流保护相结合的方法实现过电流保护;采用缓存吸收电路及采样检测电路以防止过电压的出现;通过选择正确的散热器及利用铂电阻的特性来实施检测温度,从而使电路能够更好地可靠运行。同时,为了满足今后1.5MW风电变流器和试验电源等更大功率设备的需求,在性价比上更倾向于采用IGBT模块串、并联的方式来取代高耐压、大电流的单管1GBT.本文就同一桥臂的IGBT串联不均压,并联不均流的问题进行了阐述,并给出了相应的解决方案。最后针对上述的不平衡情形,采用PSpice对其进行仿真模拟,并通过加入均压、均流电路后的仿真结果,有效地说明了电路的可行性。

    标签: 大功率 igbt

    上传时间: 2022-06-22

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